[发明专利]集成电路的金属电导体层及其形成方法

摘要

形成集成电路的金属电导体层的方法包括：提供基片；在基片的表面上形成介质层；形成进入表面和介质层中穿过介质层的多个通孔；在介质层的表面形成结尾于穿过介质层的多个通孔的一部分的凹槽；在介质层的表面淀积金属化层，其一部分穿过通孔，另一部分配置在凹槽中，又一部分配置在介质层的表面；把金属化层做成多个导体的图案。金属化系统包括具有配置在其上的介质层的基片。形成多个电导体，电导体一部分配置在介质层的一个平面上，而另一部分凹进介质层的表面部分。

主权项

1.一种形成集成电路的金属电导体层的方法，该方法包括：提供基片；在该基片的表面上形成介质层；形成进入表面和所述介质层中并穿过所述介质层的多个通孔；在所述介质层的所述表面形成凹槽，这种凹槽终止于穿过所述介质层的所述多个通孔的一部分；在所述介质层的所述表面上淀积金属化层，部分所述金属化层穿过所述通孔，部分所述金属化层配置在所述凹槽中，以及部分所述金属化层配置在所述介质层的所述表面；把所述金属化层做成多个导体的图案，所述导体的一部分配置在所述介质层的一个平面上，而所述导体的另一部分配置在所述凹槽中。