[发明专利]半导体的自对准生成件及其方法

摘要

形成半导体器件的自对准特制件的方法包括：提供在其表面上包含反射材料的第一层和依次形成的第二层及光致抗蚀剂层；提供穿过光致抗蚀剂层和第二层并从反射材料反射回到光致抗蚀剂层的辐射，增加了反射材料上方光致抗蚀剂层的辐照；以及将光致抗蚀剂层显影。本发明的半导体器件包括其中有反射结构的第一层和依次形成的第二层及做成图案的光致抗蚀剂层。在第二层中按照光致抗蚀剂层图案形成蚀刻的孔，并且在孔中形成电连接到反射结构的互连。

主权项

1.一种形成半导体器件的自对准特制件的方法，该方法包括以下步骤：提供在其表面上包含反射材料的第一层介质材料、在该第一层介质材料上形成的第二层介质材料和在该第二层上形成的光致抗蚀剂层；提供穿过所述光致抗蚀剂层和所述第二层介质材料的辐射，其中，所述辐射从所述反射材料反射回到所述光致抗蚀剂层，从而增加所述反射材料上方的所述光致抗蚀剂层的辐照，以及将所述光致抗蚀剂层显影，其中所述辐射包括紫外辐射，并且，所述提供辐射的步骤包括提供透射过所述光致抗蚀剂层和所述第二层介质材料并且从所述反射材料反射的紫外辐射的步骤。