[发明专利]制造铁电存储器件的方法无效
申请号: | 99109089.6 | 申请日: | 1999-06-18 |
公开(公告)号: | CN1239828A | 公开(公告)日: | 1999-12-29 |
发明(设计)人: | 郑东镇;金奇南 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/8239 | 分类号: | H01L21/8239;H01L21/70;H01L21/28;H01L27/105;G11C11/22 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜,余朦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种带有铁电膜的铁电电容器,所述铁电膜具有比锆酸盐成分多的钛成分,以改善铁电特性。制造这种铁电电容器的方法包括以下步骤在覆盖已形成的铁电电容器的绝缘层中形成接触开口后,在氧气氛中进行热处理。这种在氧气氛中的热处理可以使所不希望的铂电极负作用减至最小,所述负作用指对铁电膜成分的氧化。 | ||
搜索关键词: | 制造 存储 器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在半导体衬底上制造铁电存储器件的方法,所述半导体衬底上具有晶体管,所述晶体管具有源/漏区和栅极,所述方法包括以下步骤:在所述半导体衬底上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成铁电电容器,所述铁电电容器由下电极、铁电膜和上电极构成,所述铁电膜包含比锆酸盐量大的钛;形成第二绝缘层;腐蚀所述第二绝缘层的选择部分,并形成到达所述下电极的第一开口;进行热处理,以防止所述下电极和所述铁电膜之间的界面处的反应;腐蚀所述第二和第一绝缘层,并形成到达所述源/漏区的第二开口;及在所述第二绝缘层上、所述第一和第二开口中形成接触层,以电连接所述下电极与所述源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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