[发明专利]形成没有凹陷的沟槽隔离的方法无效

专利信息
申请号: 99109273.2 申请日: 1999-06-24
公开(公告)号: CN1239821A 公开(公告)日: 1999-12-29
发明(设计)人: 南信祐;徐俊;崔昶源;洪瑛基 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/76 分类号: H01L21/76
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜,余朦
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种形成嵌埋于半导体衬底中的沟槽隔离的方法,其中采用干法腐蚀去掉氮化物沟槽掩模,以抑制氮化物沟槽衬里的凹陷现象。干法腐蚀以相同的腐蚀速率腐蚀沟槽掩模和沟槽衬里。
搜索关键词: 形成 没有 凹陷 沟槽 隔离 方法
【主权项】:
1.一种形成半导体器件的沟槽隔离的方法,包括以下步骤:在半导体衬底上提供氮化物沟槽掩模,以暴露所述半导体衬底的选择部分;利用所述氮化物沟槽掩模,腐蚀所述暴露的半导体衬底,以在其中形成沟槽;在所述沟槽内形成热氧化物层;在所述热氧化物层上和所述氮化物沟槽掩模之上形成氮化物沟槽衬里;在所述沟槽中和所述氮化物沟槽衬里上形成沟槽填充层;平面化所述沟槽填充层和所述氮化物沟槽衬里,并停止在所述氮化物沟槽掩模;及干法腐蚀所述沟槽外的氮化物沟槽掩模,并暴露所述半导体衬底。
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