[发明专利]半导体存储器件的制造方法及其结构

摘要

一种制造半导体器件的方法。在绝缘层上形成材料层图形。在材料层图形上淀积另一个绝缘层。在另一个绝缘层上形成沟槽掩模图形。利用该掩模，在另一个绝缘层处进行腐蚀并中止在材料层，从而形成第一开口。利用材料层图形，腐蚀绝缘层的露出部分，形成与第一开口对准的第二开口，并由此形成用于金属线的双镶嵌开口。在第一和第二开口中淀积金属，形成双镶嵌金属线。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：在半导体衬底上形成器件隔离区以限定有源区，所述半导体衬底有单元阵列区域和周边区域；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成材料层图形，所述材料层图形有第一开口部分，第一开口部分分别在所述单元阵列区域限定用于存储节点的接触孔，在所述周边区域限定用于金属互连的接触孔；在所述材料层图形上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成沟槽掩模图形，所述沟槽图形在所述周边区域有至少在所述材料层图形的所述第一开口部分上对准的第二开口部分，所述第二开口部分大于所述第一开口部分；用所述沟槽掩模作腐蚀掩模，腐蚀所述第二绝缘层并在所述材料层图形处中止，形成第一触点开口，并利用至少一个所述第一触点开口腐蚀第一绝缘层的露出部分，在所述周边区域形成与所述第一触点开口的至少一个自对准的至少一个第二触点开口；和用导电材料填充所述第一和第二触点开口，分别形成形成于第一和第二触点开口中的第一金属互连，和形成于第一开口中的第二金属互连。