[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 99109522.7 | 申请日： | 1999-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1111905C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 筑地优 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在第一导电类型的半导体衬底上形成虚拟图形，第2工序，在所述虚拟图形两侧的所述半导体衬底的预定区域，引入第二导电类型杂质形成源区和漏区，第3工序，形成与所述源区和漏区上表面分别接触的具有导电性的材料构成的布线层，第4工序，选择地去除所述虚拟图形使半导体衬底表面露出，第5工序，在第4工序露出的半导体衬底表面和布线层的露出面上，形成栅绝缘膜和层间绝缘膜，第6工序，在所述栅绝缘膜和层间绝缘膜上形成由具有导电性的材料构成的导电膜，第7工序，对所述导电膜进行加工，在所述栅绝缘膜和层间绝缘膜上形成延伸到所述源区和漏区之上区域的浮置栅极，第8工序，形成覆盖所述浮置栅极的隔离绝缘膜，第9工序，在所述浮置栅极上通过所述隔离绝缘膜形成控制栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在第一导电类型的半导体衬底上形成虚拟图形，第2工序，在所述虚拟图形两侧的所述半导体衬底的预定区域，引入第二导电类型杂质形成源区和漏区，第3工序，形成与所述源区和漏区上表面分别接触的具有导电性的材料构成的布线层，第4工序，选择地去除所述虚拟图形使半导体衬底表面露出，第5工序，在第4工序露出的半导体衬底表面和布线层的露出面上，形成栅绝缘膜和层间绝缘膜，第6工序，在所述栅绝缘膜和层间绝缘膜上形成由具有导电性的材料构成的导电膜，第7工序，对所述导电膜进行加工，在所述栅绝缘膜和层间绝缘膜上形成延伸到所述源区和漏区之上区域的浮置栅极，第8工序，形成覆盖所述浮置栅极的隔离绝缘膜，第9工序，在所述浮置栅极上通过所述隔离绝缘膜形成控制栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
