[发明专利]形成DRAM单元电容器的方法无效
| 申请号： | 99109548.0 | 申请日： | 1999-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1148799C | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 金晟泰;金景勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明所公开的是使用HSG膜制造电容器的改进的方法，该方法能够使电容量增加，稳定单元特性和得到没有存储节点间的跨接的电容器。该方法使得在其表面具有HSG膜的存储节点的表面的晶相稳定。稳定的晶相能够有力地支持HSG，并由此防止在清洗步骤中HSG膜与存储节点的表面分离。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 dram 单元 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成DRAM单元电容器的方法，包括以下各步骤：在半导体衬底上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层内形成通到所述半导体衬底的接触孔；在所述接触孔内和所述层间绝缘层上形成非晶硅层；将所述非晶硅层构成图形并形成存储节点；在所述存储节点的表面形成HSG膜，所述HSG膜具有与所述存储节点相连的颈部；在形成HSG硅后进行附加的退火步骤以使所述HSG膜的所述颈部和所述存储节点的表面部分结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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