[发明专利]异质结双极型晶体管无效
| 申请号： | 99109641.X | 申请日： | 1999-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1111313C | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;邹德恕;陈建新;杜金玉;吴德馨;高国;徐晨;韩金茹;董欣;罗辑;魏欢;周静;孙泽长;袁颖;赵立新 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京工大思海专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种量子阱基区异质结双极型晶体管，属于高速微电子技术领域，其特征是，沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层，使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运，从而大大提高多数载流子的横向迁移率，并同时形成对少数载流子的纵向漂移场，加速少数载流子的纵向渡越，在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种异质结双极型晶体管，主要由电极、发射区、基区、及集电区构成，其特征在于：从纵向截面上看，所述基区包括有一个或多个有较窄禁带宽度的非掺杂薄层，这些非掺杂薄层的两侧是有较宽禁带宽度的势垒层，非掺杂薄层能够形成对于基区多数载流子的势阱，即非掺杂量子阱，而非掺杂薄层两侧的势垒层则是掺杂的，每个非掺杂薄层与其两侧的势垒层共同构成一量子阱单元，一个或多个这样的量子阱单元重复排列，从而在基区内形成一种调制掺杂量子阱结构。
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