[发明专利]清洗锆钛酸铅薄膜的方法无效
| 申请号： | 99110200.2 | 申请日： | 1999-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1154546C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李俊冀;金昌桢;郑一燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE))和乙酸的混合物，或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物，作为浸蚀剂，从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率，该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度，进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以，只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 锆钛酸铅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法，包括如下步骤：把PZT薄膜浸到浸蚀剂中，所述浸蚀剂是通过混合含HF的缓冲溶液，乙酸与对于降低刻蚀速度有效量的仅由醇组成的稀释溶剂制备的，其中所述醇选自甲醇、乙醇和丙醇。
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