[发明专利]驱动晶体管有效
| 申请号： | 99110455.2 | 申请日： | 1999-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1160770C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 海因茨·霍尼格施密德;德米特里·奈蒂斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处公开了一种增强了驱动性能的晶体管的分布，它包括多个导体图形，其中的导体图形包括包围器件扩散接触的环形部分，且此环形部分形成绝缘栅场效应晶体管(IGFET)的栅导体。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种驱动晶体管，该驱动晶体管增强了驱动能力，它包含：衬底的不间断的有源半导体区；多个布置在所述有源半导体区上的导体图形，每个所述导体图形包括一个或更多个环形部分，所述环形部分包围器件扩散接触区，所述环形部分还形成绝缘栅场效应晶体管的栅导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司;西门子公司，未经国际商业机器公司;西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99110455.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：封装具有凸电极的半导体器件的方法
- 下一篇：制造半导体器件冠式电容器的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
