[发明专利]在半导体基片上形成带图案导电层的方法和半导体器件无效
| 申请号： | 99110641.5 | 申请日： | 1999-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1149642C | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | G·Y·李 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供半导体器件和在基片上形成构成图案的导电层的方法，以便防止氟物质从其上的氟硅玻璃层外流到上覆的光致抗蚀剂层，同时在光刻时抑制光波返回光致抗蚀剂层。在基片上依次涂敷导电层，介质衬垫，FSG层，防止氟物质穿过其中从FSG层外流并形成防反射涂层的氧氮化硅层，和光致抗蚀剂层。将后者曝光和显影以露出下伏的氧氮化硅层的图案部分。用单一蚀刻步骤去除暴露的氧氮化硅ARC层和FSG层及介质衬垫的相应的下伏部分以露出供金属化的导电层的图案部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基片上 形成 图案 导电 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它包括具有氟硅玻璃层与在它上面的氧氮化硅盖层的组合的基片，所述氧氮化硅盖层是以对所述氟硅玻璃层的叠加覆盖的关系、以足以防止氟物质从所述氟硅玻璃层穿过其中外流并且足以形成防反射涂层的形式设置在所述氟硅玻璃层的上面的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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