[发明专利]磁隧道结传感器用的低磁矩/高矫顽力固定层有效
| 申请号： | 99110657.1 | 申请日： | 1999-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1109330C | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | H·S·吉尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127;G01R33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇,傅康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁隧道结(MTJ)器件可用作磁盘驱动器的磁场传感器或磁随机存取(MRAM)阵列的存储单元。MTJ器件具有铁磁逆平行(AP)固定层，后者包括第一铁磁层，第二铁磁层和设置在第一和第二铁磁层之间的逆平行耦合(APC)层；自由铁磁层和设置在AP固定层的第一铁磁层和自由层之间的隧道势垒层。AP固定层的磁化在层平面内取向并被固定，以便能够在存在感兴趣范围内的外加磁场时旋转。自由铁磁层的磁化可以相对于铁磁AP固定层的固定的磁化在该层平面内旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 传感 器用 低磁矩 矫顽力 固定 | ||
【主权项】：
1.一种磁隧道结传感器，它包括：逆平行固定层；铁磁材料的自由层；以及设置在所述固定层的第一铁磁层和所述自由层之间的隧道势垒层；其中，所述固定层包括：在所述固定层最里面的第一铁磁层，它由具有第一矫顽力的磁性材料制成；在所述固定层最外面的第二铁磁层，它由具有第二矫顽力的磁性材料制成，所述第二矫顽力的大小大于所述第一矫顽力的大小，所述第二铁磁层固定所述逆平行固定层的磁化方向；以及设置在所述第一和第二铁磁层之间的逆平行耦合层。
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