[发明专利]高品位硅钙合金的生产方法及其矿热炉无效
申请号: | 99110872.8 | 申请日: | 1999-07-23 |
公开(公告)号: | CN1086209C | 公开(公告)日: | 2002-06-12 |
发明(设计)人: | 李金山;杨友章 | 申请(专利权)人: | 李金山;杨友章 |
主分类号: | C22C24/00 | 分类号: | C22C24/00;C22B4/06;C22B5/10 |
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地址: | 300190 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及是一种高品位硅钙合金的生产方法及其矿热炉。其主要特征是包括培植坩埚生产工艺和正常冶炼高品位硅钙合金生产工艺,通过原料配比的变化,充分考虑每种原料自身的特性,能有效减少CaO、SiO2在高温下接触的机会,减少了低熔点渣的生成机会,且不用加入过量碳,使碳化物生成较少,炉底上涨缓慢,生产周期大大延长,出炉时间降至4小时,硅、钙的回收率显著提高,合金含钙量高,成本较低,电耗降低,生产的硅钙合金含量在Ca31-45%,完全达到了高品位硅钙合金的水平。矿热炉电极布置结构合理,使得培植的坩埚有利于高品位硅钙合金的生产,矿热炉炉龄达到一年左右。 | ||
搜索关键词: | 品位 合金 生产 方法 及其 矿热炉 | ||
【主权项】:
1.一种制造高品位硅钙合金的工艺方法,其使用原料为硅石、石灰、焦炭、木炭,其特征在于:培植高品位硅钙合金坩埚的原料重量配比为:硅石:56-60%石灰:20-24%焦炭:17-19%木炭:2-4%培植坩埚的工艺步骤为:①加硅石底料60-80kg,给矿热炉电极通电,使炉膛温度升至1000-1400℃之间;②沿三个电极周边加石灰和焦炭混合料,每次加230-260kg,每间隔15-20分钟加一次,4小时内加完;③沿三个电极周边加硅石和焦炭混合料,每次加280-320kg,每间隔15-20分钟加一次,4小时内加完;④沿三个电极周边加硅石和木炭混合料,每次加210-260kg,每间隔15-20分钟加一次,4小时内加完;上述②、③、④工艺步骤重复进行,在每一次混合料投加中,即缓慢升降三个电极20-40mm,用时15-20分钟,然后再加下一次混合料;⑤三种混合料加完后,打开出水口,放出熔液出料,然后关闭出水口,此时坩埚培植完成;高品位硅钙合金正常生产的原料重量配比为:硅石:52-56%石灰:20-24%焦炭:18-22%木炭:2-5%高品位硅钙合金正常生产的工艺步骤为:①坩埚制成后,此时应保证炉膛温度应在1900-2300℃之间,此时沿三个电极周边加石灰和焦炭混合料480-510kg,用时15-20分钟,同时提降电极20-40mm,用时15-20分钟;②沿三个电极周边加硅石和焦炭混合料520-560kg,用时15-20分钟,同时提降电极20-40mm,用时15-20分钟;③沿三个电极周边加硅石和木炭混合料430-450kg,用时15-20分钟,同时提降电极20-40mm,用时15-20分钟;重复①、②、③工艺步骤,4小时内加完所有混合料,此时炉膛内的熔液即为高品位硅钙合金。
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