[发明专利]形成受控深沟槽顶部隔离层的装置和方法

摘要

用以控制半导体存储器的深沟槽中隔离层厚度的方法包括以下步骤：形成深沟槽，在深沟槽中形成具有埋层带的存储节点；在埋层带上淀积隔离层，用来为存储节点提供电隔离；在隔离层上形成用来掩蔽隔离层的与埋层带接触的部分的掩蔽层；以及去除隔离层的除了由掩蔽层掩蔽的部分之外的部分，从而改善对隔离层的厚度的控制。还包括制造垂直晶体管的方法：使基片凹进，使得可以增加晶体管沟道与埋层带向外扩散部分之间的重叠。还公开一种半导体存储器。

主权项

1.一种用于控制半导体存储器的沟槽中隔离层厚度的方法，它包括以下步骤：形成深沟槽，在深沟槽中形成存储节点，所述存储节点具有埋层带；在所述埋层带上淀积隔离层，以便为所述存储节点提供电隔离；在所述隔离层上形成用来掩蔽所述隔离层的与所述埋层带接触的部分的掩蔽层；以及去除所述隔离层的除了由所述掩蔽层掩蔽的部分之外的部分。