[发明专利]一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法无效
| 申请号： | 99113022.7 | 申请日： | 1999-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1101335C | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;丛洪涛;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法，采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式，阳极为由石墨、催化剂混合物组成的消耗阳极，催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种，加入量为2.5～5.0at％，其特征在于(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳极间成30～80°的角度；(3)构成阳极的反应物中加入0.5～1at％的硫或固体硫化物作生长促进剂。本发明可以半连续地低成本、大量、高纯度地生产单壁纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大量 制备 纳米 放电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大量制备单壁纳米碳管的氢弧放电方法，采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式，阳极为由石墨和催化剂的混合物组成的消耗阳极，催化剂选自铁、钴、镍、钇中的一种或多种，加入量为混合物总量的2.5～5.0at％，其特征在于：(1)反应气氛为50～400乇氢气；(2)阴极与阳极间成30～80°的角度；(3)阳极中加入占混合物总量0.5～1at％的硫或固体硫化物作生长促进剂。
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