[发明专利]硅－金属双层结构薄膜热电堆无效
| 申请号： | 99113682.9 | 申请日： | 1999-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1235273A | 公开（公告）日： | 1999-11-17 |
| 发明（设计）人： | 沈德新;卢建国;张保安;戈肖鸿;杨艺榕;董荣康 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅－金属双层结构薄膜热电堆。主要由硅片衬底、衬底一面上的J形或L形多晶硅或金属薄膜条、隔离绝缘层、隔离层上面的L形或J形金属或多晶硅薄膜条、测量结点和串连参考结点、输出端和衬底另一面的空穴腔构成。本发明采用分层立体设计,不但拓宽了热电堆中布置元件的空间,使微小型化薄膜热电堆尺寸更小,串联的热电偶元件数量更多,而且有效地提高了输出量和性能,是一种设计简练、实用的薄膜热电堆。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 双层 结构 薄膜 热电 | ||
【主权项】：
1、一种硅--金属薄膜热电堆，包括单晶硅片衬底、硅片衬底一面上的单层或多层绝缘过渡层、绝缘过渡层上的组成若干对热电偶元件的金属薄膜条和多晶硅薄膜条、金属薄膜条和多晶硅薄膜条二端的欧姆接触测量结点和串联参考结点、外引线输出端脚和单晶硅片衬底另一面的测量区空穴腔，其特征在于有设置在单层或多层绝缘隔离层二边，上下分别隔离叠置，组成热电偶元件的L形或J形金属薄膜条和J形或L形多晶硅薄膜条。
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