[发明专利]低压阳极铝箔扩面侵蚀方法无效
| 申请号： | 99114960.2 | 申请日： | 1999-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1090687C | 公开（公告）日： | 2002-09-11 |
| 发明（设计）人： | 阎康平;严季新 | 申请（专利权）人： | 四川大学;南通海星电子有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/04 | 分类号： | C25F3/04 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 吕建平 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明是一种低压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括两次电化学侵蚀，两次电化学侵蚀使用的电流均为50Hz的工频交流电流。第一次电化学侵蚀是在盐酸溶液中进行，第二次电化学侵蚀是在含有盐酸和硫酸根离子混和溶液中进行，其中硫酸根离子浓度(重量百分比)不能大于3.5％(wt)。本发明具有工艺、设备简单，侵蚀反应速度快，生产效率高等优点，制备的阳极铝箔其电容量较之现有技术工艺制备的铝箔电容量可提高10％以上，电容量的稳定性可提高近10％。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 阳极 铝箔 侵蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括两次对铝箔实施电化学侵蚀，其特征是两次电化学侵蚀施加在铝箔上的电流均为50Hz的工频交流电流，其中第一次电化学侵蚀是在浓度(重百分比)为7～16％盐酸溶液中进行，溶液的温度为35～40℃，第二次电化学侵蚀是在盐酸和硫酸根离子的混和溶液中进行，盐酸的浓度(重量百分比)为10～25％，硫酸根离子的浓度(重量百分比)不大于3.5％，溶液的温度为35～40℃。
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