[发明专利]中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法无效
| 申请号： | 99114961.0 | 申请日： | 1999-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1126830C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 阎康平;严季新 | 申请（专利权）人： | 四川大学;南通海星电子有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/04 | 分类号： | C25F3/04 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 吕建平 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明是一种中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法，包括电化学扩面侵蚀和化学扩面侵蚀，电化学侵蚀是在含有硫酸和氯离子的混和溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流。化学侵蚀是在含有铜离子的盐酸溶液中进行，溶液中铜离子的含量为10～200ppm。本发明具有工艺、设备简单，侵蚀反应速度快，生产效率高，生产制备的铝箔具有电容量高，强度大，质量和电容量稳定等多方面的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 阳极 铝箔 侵蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种中高压阳极铝箔扩面侵蚀方法，先进行电化学侵蚀，然后再进行化学侵蚀，其特征是：(1)电化学侵蚀是在硫酸和氯离子的混和溶液中进行，施加在铝箔上的电流为直流电流，混和溶液含有重量百分比为4.5～17.5％的硫酸，重量百分比为0.75～10.50％的氯离子，溶液温度为60～76℃；(2)化学侵蚀是在含有铜离子的盐酸溶液中进行，盐酸的浓度(重量百分比)为1.5～12％，溶液中铜离子的浓度为10～200ppm，溶液温度为50～70℃。
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