[发明专利]全金属量子点单电子存储器无效
| 申请号： | 99116438.5 | 申请日： | 1999-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1271168A | 公开（公告）日： | 2000-10-25 |
| 发明（设计）人： | 李志扬;刘武;沈嵘 | 申请（专利权）人： | 华中师范大学 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国科学院武汉专利事务所 | 代理人： | 王敏锋 |
| 地址： | 430079 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全金属量子点单电子存储器,它由两个相邻放置的无栅极单电子三极管(SET)组成,一个SET负责电学“写”,一个SET负责电学“读”,其中每个SET由电极、纳米量子点、电极组成的两个串联隧道结构成,两个SET的纳米量子点相隔纳米量级。本发明主要适用于集成电路、计算机等领域,以其为基本电路单元,可制作超大容量、超高速、低功耗存储器。与现有技术相比本发明可在绝缘基片上采用全金属材料制作出来,避免了对超高质量单晶硅的需求,可工作于直至绝对零度。 | ||
| 搜索关键词： | 全金属 量子 电子 存储器 | ||
【主权项】：
1、一种全金属量子点单电子存储器，它由电极(1)、(4)、(6)、(8)、纳米量子点(5)、(7)、导线(2)、(3)、(9)、(10)构成，其特征是电极(1)、电极(4)与纳米量子点(5)分别相隔纳米量级，构成一个无栅极SET，电极(6)、电极(8)与纳米量子点(7)分别相隔纳米量级，构成另外一个无栅极SET，这两个SET相邻放置，使得纳米量子点(5)与纳米量子点(7)相隔纳米量级。
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