[发明专利]一种有源阵列显示装置无效
| 申请号： | 99117796.7 | 申请日： | 1994-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1248757A | 公开（公告）日： | 2000-03-29 |
| 发明（设计）人： | 木谷久;宫永昭治;竹山顺一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09F9/35 | 分类号： | G09F9/35;G02F1/13;H01L29/786;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温宏艳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法,包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤,这是由于使用促进晶化材料,诸如Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As和Sb。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内,并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是,就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种有源阵列显示装置，它包含：一种半导体层，它具有至少第一和第二杂质区和在一绝缘表面上形成的沟道形成区；与所述沟道形成区相邻的栅绝缘膜；与所述栅绝缘膜相邻的栅电极；一种绝缘膜，它包含在所述半导体层、所述栅绝缘膜和所述栅电极上形成的有机树脂；在所述绝缘膜上形成的象素电极，它电连接到所述第一和第二杂质区之一；和在所述绝缘膜上形成的传导层，它与第一和第二杂质区的另一个电连接。
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