[发明专利]去除硅单晶中重金属杂质的方法无效
| 申请号： | 99117832.7 | 申请日： | 1999-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1285422A | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 季振国;樊瑞新;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的去除硅单晶中重金属杂质的方法,是利用铁、铜、金等有害重金属在金属熔体中的溶解度远大于在硅单晶中溶解度的特点,把硅单晶浸入熔化的对硅单晶载流子寿命无影响的高纯锡或镓或铝或铟或铅或它们的组合的金属熔体中,使硅单晶中的有害重金属杂质扩散到金属熔体中,而实现彻底去除硅单晶中重金属杂质之目的,该方法设备简便,操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 硅单晶中 重金属 杂质 方法 | ||
【主权项】：
1．去除硅单晶中重金属杂质的方法，其特征在于包括如下操作步骤：1)将高纯度的锡或镓或铝或铟或铅金属或它们的组合置于坩埚中熔化成金属熔体。2)将硅单晶预热至与金属熔体相近的温度，然后浸入金属熔体中，硅单晶的有害重金属杂质将通过扩散进入金属熔体。3)去杂质完毕，从金属熔体中取出硅单晶。
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