[发明专利]一种半导体衬底和多个晶向半导体衬底的改进的氧化工艺无效
| 申请号： | 99117960.9 | 申请日： | 1999-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1147926C | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | P·A·罗舍姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体衬底的热氧化的工艺，工艺包括将衬底暴露到氯等离子体，然后在氧化环境中加热衬底。衬底包括硅、锗或它们的组合。加热步骤还包括在约750℃和约850℃之间的温度加热。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 多个晶 改进 氧化 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底的热氧化工艺，该工艺包括以下步骤：a)将衬底暴露到氯等离子体，然后b)在氧化环境中加热衬底以形成氧化物。
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