[发明专利]薄膜半导体集成电路

摘要

在由薄膜晶体管(TFTS)构成的半导体集成电路中，通过在至少包括一个P-沟型TFT的电路和至少包括一个N-沟型TFT的电路之间设置传输门电路，P-沟道型TFT或者N-沟道型TFT构成非门，或与非门电路。N-沟道型TFT接地。用设置的传输门电路，或P-沟道或N-沟道型TFT产生电压降，因而，减少了接地的N-沟道型TFT的漏电压，并使N-沟道型TFT的漏区附近的电场减弱。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括：一个第一晶体管电路，包含至少一个P-沟道晶体管，一个信号输入端和一个信号输出端；一个第二晶体管电路，包含至少一个N-沟道晶体管和至少一个与N-沟道晶体管连接的P-沟道晶体管，其中P-沟道晶体管处于ON状态；该半导体集成电路的特征在于：至少一个N-沟道晶体管设置在信号输出端与第二晶体管电路的P-沟道晶体管的一个端子之间，并且所述第二晶体管电路的P-沟道晶体管的源端和漏端与所设置的N-沟道晶体管和所述第二晶体管电路的N-沟道晶体管电连接。