[发明专利]使用快速热处理的预退火/氧化联合步骤有效
| 申请号： | 99118495.5 | 申请日： | 1999-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1151546C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | H·H·图斯;M·施雷姆斯;T·格尔特纳 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;王其灏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种使用快速热处理(RTP)的预退火/氧化联合步骤处理硅片，使之形成给定厚度的热氧化物，同时调节溶蚀区深度和整体微缺陷密度(BMD)，该步骤包括：在氧化环境中、在环境压力下，将硅片暴露于受控温度下经过受控退火时间，以获得预选的热氧化物目标厚度，以适应预选的溶蚀区深度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 快速 热处理 退火 氧化 联合 步骤 | ||
【主权项】：
1.处理半导体衬底的方法，其包括：在快速热处理中，在给定压力下在氧化环境中把硅晶片暴露于受控的温度和受控的预退火时间，在晶片表面上获得预先选定的目标厚度的热氧化物，以满足预先选定的熔蚀区深度，同时调节熔蚀区深度和整体微缺陷密度，其特征在于所述氧化物用来形成衬垫氧化物而没有进行剥离步骤，从而所述硅晶片的暴露用作预退火和氧化的联合步骤，并且所述受控的温度保持在1200℃，快速热氧化时间为10-25秒，以获得4-8纳米目标厚度的热氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司，未经西门子公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99118495.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：带半球形晶粒的电容器下电极的制造方法
- 下一篇：半导体装置制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
