[发明专利]用于减少金属线刻蚀后腐蚀的敷金属层刻蚀技术

摘要

一种减少从淀积于衬底上的敷金属层中刻蚀出的金属线垂直表面上的聚合物淀积的方法。包括在敷金属层上形成硬掩模层和在硬掩模层上提供光刻胶掩模。还包括用光刻胶掩模形成硬掩模层。硬掩模有在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成的金属线图案。也包括去光刻胶掩模。另外，包括用硬掩模和含Cl₂和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行等离子体增强敷金属层刻蚀，其中，等离子体增强敷金属层刻蚀不用光刻胶以减少在刻蚀中的聚合物淀积。

主权项

1.一种减少从淀积于衬底上的敷金属层刻蚀出的金属线的腐蚀的方法，包括：提供在其上有所述的敷金属层的衬底，所述的敷金属层至少包括有不同电化学性质的两层；在所述的敷金属层上形成一硬掩模层；在所述的硬掩模层上提供光刻胶掩模；用所述的光刻胶掩模从所述的硬掩模层中形成硬掩模，该硬掩模有图案，该图案被设计成在随后的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成所述的金属线，去掉所述的光刻胶掩模；采用所述的硬掩模和包括Cl2和至少一种形成钝化的化学试剂的刻蚀剂源气进行所述的等离子体增强敷金属层刻蚀，其中所述的等离子体增强敷金属层刻蚀是在不用光刻胶下进行的，以在等离子体增强敷金属层刻蚀的过程中减少基于光刻胶的聚合物淀积；和之后进行湿刻蚀以去掉在所述的等离子体增强敷金属层刻蚀中形成的聚合物侧壁，湿刻蚀进行的同时，所述的硬掩模被保留在所述的金属线上以减少由于在该湿刻蚀过程中在所述至少两层之间的电化学反应引起的腐蚀。