[发明专利]发光二极管有效

专利信息
申请号: 99119153.6 申请日: 1999-09-20
公开(公告)号: CN1134849C 公开(公告)日: 2004-01-14
发明(设计)人: 周铭俊;刘家呈;章绢明;曾建峰;洪文庆 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种发光二极管,其晶粒包含一长方形绝缘衬底,在绝缘衬底上依次形成氮化镓长晶层、氮化镓缓冲层、n型氮化镓接触层、n型氮化铝镓束缚层、氮化铟镓多重量子井发光层、P型氮化铝镓束缚层、P型氮化镓接触层、氧化铟锡透明导电层,其中一部分以蚀刻方式除去,以露出部分P型氮化镓接触层,形成一P型Ti/Al前电极,前电极与透明导电层接触;发光二极管蚀刻至n型氮化镓接触层,在该层形成一n型Ti/Al后电极,两电极并排在长方形晶粒表面的纵向。
搜索关键词: 发光二极管
【主权项】:
1、一种发光二极管,包括:一长方形绝缘衬底,一氮化镓半导体叠层、AlxGa1-xN半导体束缚层,其中0≤x≤1、一氮化镓多重量子阱发光层、一第一电极及一第二电极,其特征在于:长方形绝缘衬底,具有一第一主表面与一第二主表面;半导体叠层,具有一第一主表面、一第二主表面及一第三主表面,半导体叠层经第二主表面与该绝缘衬底的第一主表面结合,其第一主表面与第三主表面位于绝缘衬底的第一主表面的同一侧,其第一主表面与第二主表面分别位于半导体叠层的第三主表面的二相对侧;半导体叠层包括:发光层,具有一第一主表面与一第二主表面:一第一半导体束缚层,具有第一导电性,且具有一第一主表面与一第二主表面,第一半导体束缚层的第二主表面与发光层的第一主表面结合;及一第二半导体束缚层,具有第二导电性,具有一第一主表面与一第二主表面,第二半导体束缚层的第一主表面与发光层的第二主表面结合;第一电极,具有第一导电性,且与半导体叠层的第一主表面结合,第一电极与第一半导体束缚层电连通;以及第二电极,具有第二导电性,且在一预定位置与半导体叠层的第三主表面结合,第二电极与第二半导体束缚层电连通;其中有自该第一电极至该第二电极的多个电流路径依序通过和第一半导体束缚层、发光层及第二半导体束缚层;其中,第一电极与第二电极并排在长方形的纵方向。
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