[发明专利]硅太阳能电池的制作方法及使用该方法制作的硅太阳能电池无效
| 申请号： | 99119464.0 | 申请日： | 1999-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1118104C | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 江希年;桑识宇;李仲明;陆龙波;衡阳;温建军 | 申请（专利权）人： | 北京市太阳能研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐宁 |
| 地址： | 北京市海淀区*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅太阳能电池的制作方法及其产品，其特征在于：它包括以下工艺步骤：①将若干电池片串联或并联连接成排；②将所述成排的电池片固定在一底板上；③将所述底板装入一透明管内；④将所述透明管两端密封，同时引出所述电池片的正负极。本发明省去了现有技术中的封装工序，这不但节约了大量辅助材料费用，而且省去了封装设备，使硅太阳能电池的制作成本大幅度下降。采用本发明方法，使硅太阳能电池的封装制作工艺变得十分简单，操作容易，生产效率可以大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制作方法 使用 方法 制作 | ||
【主权项】：
1、一种硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：它包括以下工艺步骤：①将若干电池片串联或并联连接成排；②将所述成排的电池片固定在一底板上；③将所述底板装入一透明管内；④将所述透明管两端密封，同时引出所述电池片的正负极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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