[发明专利]一种纳米蒙脱土填充聚烯烃的原位插层聚合制备方法无效
| 申请号： | 99119653.8 | 申请日： | 1999-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1121425C | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 柳忠阳;胡友良;贺大为;李秀华;赵健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C08F10/02 | 分类号： | C08F10/02;C08F2/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位插层聚合制备纳米蒙脱土直接填充聚烯烃的方法。该方法通过将乙烯齐聚，二聚或聚合催化剂插入于蒙脱土层间的办法，配以适当的助催化剂，在30-80℃，0.1-2小时使乙烯不断地吸附于蒙脱土层间并同时发生聚合，随着吸附热和聚合热不断增加，将蒙脱土层间打开形成纳米级分散于聚烯烃中，形成聚烯烃/蒙脱土分子复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 蒙脱土 填充 烯烃 原位 聚合 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米蒙脱土填充聚烯烃的原位插层聚合制备方法，其特征在于按下列步骤进行：1).在甲苯介质中将助催化剂一氯二乙基铝与烷基铝在30-70℃，在乙烯存在下进行0.1-2小时，得到乙烯齐聚物与纳米分散的蒙脱土的甲苯混合溶液，2).在上述的乙烯齐聚物与纳米分散的蒙脱土的甲苯混合溶液中，加入甲基铝氧烷及0.1-0.4mmol/l浓度的Et(Ind)2ZrCl2Me2Si(Ind)2ZrCl2或IndSiMe2NButZrCl2，其中MAO与上述Et(Ind)2ZrCl2，Me2Si(Ind)2ZrCl2或IndSiMe2NButZrCl2催化剂的摩尔比为500-2000，在30-80℃聚合反应0.1-2小时。3).用酸化乙醇终止聚合反应，洗涤干燥得到纳米蒙脱土填充聚烯烃。
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