[发明专利]用于非破坏性的检查半导体器件的装置和方法无效
申请号: | 99119709.7 | 申请日: | 1999-09-28 |
公开(公告)号: | CN1249535A | 公开(公告)日: | 2000-04-05 |
发明(设计)人: | 二川清 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01R31/302 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种非损坏的检查装置(或方法)被构成使激光束(1300纳米)(3,53)辐照在半导体器件芯片的表面(或背面)以扫描。由于激光束的辐照一缺陷位置被加热产生感生磁场的热电动势电流。磁场检测器(5)如SQUID(55)检测磁场强度,据此产生扫描电磁图像。显示装置(7)在屏幕上将扫描电磁图像重叠在扫描激光器显微照片上,以致能在半导体器件上进行缺陷检测。半导体器件晶片(40)包括热电动势产生器(21)和其金属线(20a)。 | ||
搜索关键词: | 用于 破坏性 检查 半导体器件 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种非破坏性的检查装置,其中包括:用于生成激光的光源(1);激光束产生装置(2),用于基于所述激光生成激光束(3),以致使激光束被辐照在半导体器件芯片(4)的表面;以及磁场检测装置(5),用于检测由热电动势电流产生的磁场的强度,所述热电动势电流是响应于该激光束的辐照在半导体器件芯片中产生的,从而根据磁场检测装置的检测结果进行检测使得以非损坏方式确定在半导体器件芯片中是否存在缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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