[发明专利]一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法无效
| 申请号： | 99119773.9 | 申请日： | 1999-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1113113C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 韩培德 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C23C16/34;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法，其是沿[000-1]晶向外延六方相GaN及其化合物薄膜的生长，该方法使用金属有机物化学气相沉积设备，在无极性的c-Al2O3衬底上，用两步法外延生长；所述无极性c-Al2O3衬底的外延面是指其单晶拉制时的背籽晶面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 氮化 及其 化合物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法，其是沿[000-1]晶向外延六方相GaN及其化合物薄膜的生长，该方法使用金属有机物化学气相沉积设备，在无极性的c-Al2O3衬底上，用两步法外延生长；其特征在于：所述无极性c-Al2O3衬底的外延面是指其单晶拉制时的背籽晶面。
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