[发明专利]具有公共位接触区的半导体器件

摘要

场绝缘膜确定以二维规则安置在半导体衬底表面上的多个有源区。各有源区包括一个位接触区和沿四个方向从位接触区伸出的辅助有源区。分别制作多个彼此相交的作为一个整体在半导体衬底上沿第一方向和第二方向延伸的第一字线和第二字线。二个辅助有源区与第一字线相交,另二个与第二字线相交。制作了多个在半导体衬底上沿第一和第二方向延伸的位线。各位接触区连接到相应的位线。四个晶体管共用一个位接触,且具有不同的字线。

主权项

1.一种半导体器件，它包含：具有第一导电类型表面区的半导体衬底；用来确定以二维规则安置在半导体衬底表面上的多个有源区的场绝缘膜，各个有源区包括一个位接触区和沿四个方向从位接触区延伸的辅助有源区；多个第一和第二字线，此多个第一字线作为一个整体沿第一方向在半导体衬底上延伸，而多个第二字线作为一个整体在半导体衬底上沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相交，且在各个有源区中，二个辅助有源区与第一字线相交，而其余二个辅助有源区与第二字线相交；在半导体衬底上与第一和第二方向相交的多个位线，各个位接触区被连接于相应的一个位线；以及用来使第一字线、第二字线和位线彼此绝缘的层间绝缘区。