[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99120595.2 | 申请日： | 1993-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1155101C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李亚非 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一个适用于动态激活光电显示器的电路是由薄膜绝缘栅半导体器件构成的。这种器件包括仅产生少量漏电流的PMOSTFTs。除该动态电路以外，还构成了既包括NMOS又包括PMOS薄膜晶体管的CMOS电路，用以驱动该动态电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括在一个象素部分中的至少两个P沟道薄膜晶体管，各P沟道薄膜晶体管包括：一个半导体岛，在整个衬底上；一个源极区、一个漏极区和一个在源极区和漏极区之间形成的沟道区；一个栅电极，毗邻所述沟道区，两者之间有一个栅绝缘膜；其中两P沟道薄膜晶体管串联连接，形成双栅结构；和其中，一个象素电极被连接到一根数据线，而没有任何n沟道薄膜晶体管连接在它们之间。
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