[发明专利]纳米TiO2在制备ZnO压敏电阻中的应用无效
| 申请号： | 99120639.8 | 申请日： | 1999-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1273424A | 公开（公告）日： | 2000-11-15 |
| 发明（设计）人： | 冯士芬;季幼章 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | H01C7/112 | 分类号： | H01C7/112 |
| 代理公司： | 安徽合肥大夏专利事务所 | 代理人： | 季晟 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种纳米TiO2在制备ZnO压敏电阻中的应用,先将纳米TiO2同分散剂混合均匀,然后再加入ZnO压敏电阻的料方中,采用电子陶瓷工艺,经振磨混合、造粒成型、1260℃烧结,制成ZnO压敏电阻。纳米掺杂ZnO压敏电阻参数性能优于微米TiO2掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 tio2 制备 zno 压敏电阻 中的 应用 | ||
【主权项】：
1、一种纳米TiO2在制备ZnO压敏电阻中的应用，其特征在于：先将纳米TiO2同分散剂混合均匀，然后再加入ZnO压敏电阻的料方中。
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