[发明专利]场致发射型电子源无效
| 申请号： | 99120728.9 | 申请日： | 1999-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1249525A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 菰田卓哉;栎原勉;相泽浩一;越田信义 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种场致发射型电子源及其制造方法,在n型硅基板主表面侧形成强电场漂移单元,在该单元上形成金薄膜构成的表面电极。在n型硅基板背面形成欧姆电极。表面电极配置在真空中,且相对欧姆电极作为正极,通过施加直流电压,从n型硅基板注入的电子在强电场漂移单元漂移经表面电极发射。强电场漂移单元由与作为基板的n型硅基板的厚度方向垂直的剖面呈网孔状的电子进行漂移的漂移单元和填满在网孔中导热性比漂移单元好的散热单元构成。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电子 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射型电子源，其特征在于，备有：导电性基板；在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层；在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极，表面电极相对于导电性基板作为正极，通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移，经表面电极进行发射，所述强电场漂移层至少包含：基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状半导体结晶单元；介于半导体结晶单元间纳米级的半导体微结晶单元；形成在半导体微结晶单元表面、膜厚比该半导体微结晶单元的结晶粒径小的绝缘膜。
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