[发明专利]制造发光二极管的方法无效
| 申请号： | 99120752.1 | 申请日： | 1999-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1155119C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 仓桥孝尚 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造发光二极管的方法包括：在第一导电型GaAs基底上形成单层或多层AlxGayIn1-x-yP发光层、第二导电型AlxGayIn1-x-yP中间层，第二导电型的AlxGayIn1-x-yP电流扩散层；形成第一导电型的第一电极和第二导电型的第二电极以分别触接GaAs基底和电流扩散层；在所述电流扩散层和第二电极的暴露的表面形成保护膜；用切割形成沟槽以置入所述第二电极并到达GaAs基底；用溴类蚀刻剂将发光层、中间层和电流扩散层蚀刻约4μm或更多；去除所述保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造发光二极管的方法，包括以下步骤：在第一导电型的GaAs基底上依次形成单层或多层第二导电型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)发光层、第二导电型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)中间层，和第二导电型的AlxGayIn1-x-yP(0≤x≤1，0≤y≤1)电流扩散层；形成第一导电型的第一电极和第二导电型的第二电极以分别接触所述GaAs基底和电流扩散层；在所述电流扩散层和第二电极的暴露的表面上形成保护膜；通过切割形成沟槽以置入所述第二电极并深入到所述GaAs基底；用溴类蚀刻剂从每个沟槽的侧表面在平行于所述基底表面的方向上将所述发光层、中间层和电流扩散层蚀刻约4μm或更多，而不到达每个相邻的第二电极的端部；和去除形成在所述电流扩散层和第二电极上的保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普公司，未经夏普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99120752.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体发光二极管
- 下一篇：在蓝宝石衬底上形成半导体发光二极管管芯的方法
