[发明专利]在静电放电期间减少寄生双极效应的电路和方法

摘要

一个电路(20)包括一个电阻(26)和一个电流源(32)，用于增加这个N沟道晶体管的源极电压，以避免这个寄生双极器件的基极-发射极电压被正向偏置来防止这个寄生双极器件发生导通。在一个实施方式中，一个相对较小的电阻(26)连接在一个N沟道晶体管(24)的这个源极和地之间。这个电流源(32)被用于引导某些来自一个正ESD事件的ESD电流通过这个小源极电阻(26)，以使在这个事件中这个N沟道晶体管(24)的源极电压增加，这样防止这个寄生双极器件快速反向。

主权项

1.一种半导体器件，包括：焊盘(30)；电流源(32)，具有连接到所述焊盘的第一节点和第二节点，用于对所述焊盘上的静电放电作出响应，提供电流；第一电阻元件(26)，具有连接到第一电压参考节点的第一节点，和连接到所述电流源的所述第二节点的第二节点；和第一晶体管(24)，具有控制电极，连接到所述焊盘的第一电流电极，和连接到所述电流源的所述第二节点的第二电流电极。