[发明专利]制造角速率传感器的方法有效
申请号: | 99121091.3 | 申请日: | 1999-10-12 |
公开(公告)号: | CN1143121C | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | T·克维斯特罗伊;H·雅各布森 | 申请(专利权)人: | 森桑诺尔有限公司 |
主分类号: | G01C19/56 | 分类号: | G01C19/56;G01D5/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周备麟;黄力行 |
地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | 一种制造角速率传感器的方法,包括以下步骤:在一个硅衬底上制备角速率传感器的各元件,该角速率传感器的这些元件包括一个或多个硅片、一个支承梁和隐埋的导体;设置检测装置;通过阳极结合,将元件密封在第一玻璃板和第二玻璃板之间的一个腔体中。这使得角速率传感器可以采用低成本的硅晶片制造。 | ||
搜索关键词: | 制造 速率 传感器 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造角速率传感器的方法,包括以下步骤:在一个硅衬底上制备角速率传感器的各元件,这些元件包括一个或多个硅片、一个支承梁和隐埋的导体;通过在衬底的一个表面上施加光致抗蚀剂掩模、在光致抗蚀剂掩模的间隙处将离子注入衬底中、使离子向衬底中扩散来设置与隐埋的导体接触的p型触点;设置检测装置;和通过阳极结合,将元件密封在第一玻璃板和第二玻璃板之间的一个腔体中。
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