[发明专利]水平表面间隔层的形成方法及由此形成的器件

摘要

本发明提供了一种在水平表面上形成自对准间隔层，同时从垂直表面上除去间隔层材料的方法，优选方法使用一种注入后对显影液不溶解的抗蚀剂。通过在具有垂直和水平表面的衬底上保形地淀积抗蚀剂，注入抗蚀剂，并显影抗蚀剂，从垂直表面上除去抗蚀剂，同时抗蚀剂留在水平表面上。由此，自对准间隔层形成在水平表面上，同时从垂直表面上除去间隔层材料。然后在进一步的制造中使用所述水平表面间隔层。优选的方法可以用在许多需要分别地处理衬底20的垂直和水平表面的不同工艺中。

主权项

1.一种在具有水平表面和垂直表面的半导体衬底上形成水平表面间隔层的方法，包括以下步骤：a)在垂直和水平表面上保形地形成对注入敏感的抗蚀剂层；b)将注入物在基本上垂直于所述水平表面的方向上注入到所述注入敏感的抗蚀剂层内，使水平表面上的对注入敏感的抗蚀剂层基本上注入，垂直表面上的对注入敏感的抗蚀剂层基本上未注入；以及c)显影对注入敏感的抗蚀剂层，使基本上未注入的抗蚀剂从垂直表面上除去，基本上注入的抗蚀剂留在水平表面上。