[发明专利]等离子体处理装置及用这种装置进行等离子体处理的方法无效

专利信息
申请号: 99122005.6 申请日: 1999-10-25
公开(公告)号: CN1141009C 公开(公告)日: 2004-03-03
发明(设计)人: 泽田康志;中村康辅;北村启明;井上吉民 申请(专利权)人: 松下电工株式会社
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24;H01J37/32
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 刘晓峰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种等离子体处理装置,利用该装置可以对目标物进行有效地等离子体处理而不出现弧光放电。该装置包括至少一对电极,一个气体供应单元,一个供电部分;在上述电极中,至少有一个电极在其外表面具有介电层。并且至少有一个电极具有向上述放电间隙伸进的弯曲表面。最好上述电极对中至少有一个电极具有管状结构。等离子体处理装置进一步包括一个提供冷却剂的单元,利用该单元可以向电极内部提供冷却剂以降低在等离子体处理过程中的电极温度。
搜索关键词: 等离子体 处理 装置 这种 进行 方法
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,该装置使用等离子体对处于放电间隙下方的目标物进行处理,该装置包括:至少一对电极,这些电极中至少有一个电极在其外表面具有一个介电层;一个气体供应单元,以此将用以等离子体发生的气体供至定义在所述电极之间的放电间隙中;以及一个供电部分,以此给电极间施加交流电压,从而在上述放电间隙中产生上述气体的等离子体;其中,在上述一对电极中,至少有一个电极具有向上述放电间隙伸进的弯曲表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电工株式会社,未经松下电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99122005.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top