[发明专利]等离子体处理装置及用这种装置进行等离子体处理的方法无效
申请号: | 99122005.6 | 申请日: | 1999-10-25 |
公开(公告)号: | CN1141009C | 公开(公告)日: | 2004-03-03 |
发明(设计)人: | 泽田康志;中村康辅;北村启明;井上吉民 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H05H1/24 | 分类号: | H05H1/24;H01J37/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种等离子体处理装置,利用该装置可以对目标物进行有效地等离子体处理而不出现弧光放电。该装置包括至少一对电极,一个气体供应单元,一个供电部分;在上述电极中,至少有一个电极在其外表面具有介电层。并且至少有一个电极具有向上述放电间隙伸进的弯曲表面。最好上述电极对中至少有一个电极具有管状结构。等离子体处理装置进一步包括一个提供冷却剂的单元,利用该单元可以向电极内部提供冷却剂以降低在等离子体处理过程中的电极温度。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 这种 进行 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,该装置使用等离子体对处于放电间隙下方的目标物进行处理,该装置包括:至少一对电极,这些电极中至少有一个电极在其外表面具有一个介电层;一个气体供应单元,以此将用以等离子体发生的气体供至定义在所述电极之间的放电间隙中;以及一个供电部分,以此给电极间施加交流电压,从而在上述放电间隙中产生上述气体的等离子体;其中,在上述一对电极中,至少有一个电极具有向上述放电间隙伸进的弯曲表面。
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