[发明专利]微小型热电堆元件及其形成热隔离的方法有效
申请号: | 99122221.0 | 申请日: | 1999-11-03 |
公开(公告)号: | CN1295351A | 公开(公告)日: | 2001-05-16 |
发明(设计)人: | 沈志雄;陈忠男;林三宝 | 申请(专利权)人: | 光磊科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L35/00 | 分类号: | H01L35/00 |
代理公司: | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李强 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种微小型热电堆元件及其形成热隔离的方法,其形成热隔离的方法包括在衬底表面的薄膜层开设狭长蚀刻窗,同时形成微连结构造跨越蚀刻窗而连接蚀刻窗两侧薄膜层的边缘,然后经由蚀刻窗对硅衬底进行蚀刻,使衬底与薄膜层之间形成坑穴,导致薄膜层成为浮板,且浮板与衬底之间形成热隔离。以上述方法制作的热电堆元件,其浮板具有较大的面积,且浮板较不易破裂,可靠度较佳。 | ||
搜索关键词: | 微小 热电 元件 及其 形成 隔离 方法 | ||
【主权项】:
1、一种微小型热电堆元件,其特征在于:包括:一衬底;一浮板形成于该衬底的表面;一蚀刻窗分割该浮板;多个微连结构造跨越该蚀刻窗而连接该蚀刻窗两侧的该浮板的边缘;以及一坑穴介于该衬底与该浮板之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光磊科技股份有限公司,未经光磊科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99122221.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:龟苓含片
- 下一篇:发光半导体装置及其制作方法