[发明专利]薄膜型装置及其制作方法有效

专利信息
申请号: 99122222.9 申请日: 1999-11-03
公开(公告)号: CN1154195C 公开(公告)日: 2004-06-16
发明(设计)人: 沈志雄;陈忠男 申请(专利权)人: 光磊科技股份有限公司
主分类号: H01L49/02 分类号: H01L49/02;B81C1/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李强
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种薄膜型装置及其制作方法,包括下列步骤:在一衬底的上表面形成一底层;在此底层开设第一蚀刻窗;形成牺牲层充填第一蚀刻窗;形成一结构层复fu覆盖牺牲层表面;在结构层开设第二蚀刻窗;最后经由第二蚀刻窗对牺牲层及衬底进行蚀刻,使得第二蚀刻窗连通第一蚀刻窗,并且形成一坑穴深入衬底内,导致结构层在坑穴上方形成一悬浮区域,而与衬底之间形成隔离。利用本发明制作的薄膜型装置能获得较大面积的悬浮区域,并可避免悬浮区域与底层发生粘附,有较高的可靠度。
搜索关键词: 薄膜 装置 及其 制作方法
【主权项】:
1、一种薄膜型装置,其特征在于:包括:一衬底,其具有一上表面;一坑穴,从该衬底的上表面深入该衬底内;底层形成于该衬底的上表面;结构层形成于该底层上,该结构层并具有一区域悬浮于该坑穴上方,其中,该底层具有一部分贴附于该结构层的悬浮区域下方而形成一保留区域,且该坑穴之深度需足以避免该结构层及该底层与该衬底产生黏附;以及一第一蚀刻窗及一第二蚀刻窗,依序形成于该底层及该结构层上,且分别贯穿该底层及该结构层而连通该坑穴,又该第二蚀刻窗位于该坑穴之外围,藉此增加该悬浮区域之面积。
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