[发明专利]MFC系高介质压敏电阻/电容复合元件的生产方法

摘要

本发明公开了一种制造MFC系高介质压敏电阻/电容复合元件的生产方法，由配料、球磨、造粒、打片、排胶，烧结、清洗、打弯、检测、中试、电极印刷、焊结、分选、链式烧成、包封、打印标志、包装、水处理等工艺组成。该制造方法可采用国产原料，国产设备、工艺相对简单、生产成本低、成品率达88％。产品性能符合国际标准可替代进口元件。

主权项

1、一种制造MFC系高介质压敏电阻/电容复合元件的生产方法，由配料、球磨、造粒、打片、排胶、烧结、清洗、打弯、检测、中试、电极印刷、焊接、分选、链式烧成、包封、打印标志、包装、水处理步骤组成，其特征在于该方法的配料和烧结的步骤如下：(a)配料：以SrTiO3为主材料，La2O3为主施杂质，加入Ni2O5、Mn2O3、SiC、BaTiO3、TiO2、ZnO、In、Ga和Ba；(b)烧结：从基础温度30℃～550℃要求升温的速度在1.5～1.8℃/分，之后升温的速度可以加快，升温速度最快每分钟不超过5℃，为使SrTiO3形成半导体化，在不同成片电压条件约束下其造成氧空位的温度是不一样的，其温度在1100～1400℃度范围内设定，同时炉内的气氛也是根据产品的电压值、电容值不同而变化，其通入量在3～50升/分速度通入氢气气体及在1～25L/分速度通入氮气体，通气的压力在0.01～0.05MPa之间，而产品的保温温度在1380～1480℃之间，保温时间3--8小时，经测试，如果出炉后成片的电压值不够，曲线不够陡峭，用压缩空气加入1～5％的硝酸锰水溶液进行二次氧化，氧化温度在700℃～1150℃之间，氧化时间为10分钟～1小时。