[发明专利]磁头用悬浮装置的制造方法无效
| 申请号： | 99122997.5 | 申请日： | 1999-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1135533C | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 栗田英之;渡边正直 | 申请（专利权）人： | 索尼化学株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/48 | 分类号： | G11B5/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹雯;杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造配线一体型磁头用悬浮装置时，可一次将构成配线的铜箔构图，且可低成本简便地形成绝缘基底，其工序如下：(a)在弹性材料层1上形成聚酰亚胺前体层2，(b)在聚酰亚胺前体层2上形成配线用金属层3，(c)用除去法将配线用金属层3构图形成配线4，(d)用光刻技术以对应聚酰亚胺绝缘基底层5的形状将聚酰亚胺前体层2构图，(e)将构图的聚酰亚胺前体层2酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层5，(f)在配线4上形成覆盖层6。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 悬浮 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁头用悬置的制造方法，其特征在于包括以下工序(a)-(f)：(a)在弹性材料层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(b)在聚酰亚胺前体层上形成配线用金属层的工序；(c)用光刻技术除去法将配线用金属层构图形成配线的工序；(d)用光刻技术以对应于聚酰亚胺绝缘基底层的形状将聚酰亚胺前体层构图的工序；(e)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(f)在配线上形成覆盖层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼化学株式会社，未经索尼化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99122997.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
