[发明专利]化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层无效
| 申请号： | 99123481.2 | 申请日： | 1993-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1117389C | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 大卫·B·彼迟 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在衬底上制造掺稀土元素的处延半导体层的CVD方法。本方法采用气相的硅烷或锗烷与稀土元素化合物。通过本方法，制造出单相的掺过饱和稀土元素的半导体层。优选的稀土元素是铒，而用CVD淀积铒的较佳先质是铒的六氟乙酰丙酮化物、乙酰丙酮化物、四甲基庚二酮化物及氟辛二酮化物。本方法可用于制造包括硅衬底与掺铒外延硅薄膜的光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 汽相淀积 稀土 掺杂 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上制作掺铒的半导体层的方法，其特征在于包括：将选自由气相的锗烷、硅烷及其混合物组成的一组材料中的第1组分和由气相的铒化合物组成的第2组分的混合物导入用于在一衬底上形成淀积薄膜的薄膜形成室中，并加热所述衬底，其中，所述铒化合物的蒸汽压在500℃时大于10-6乇。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
