[发明专利]一种半导体存储器用熔丝结构及其制造方法无效
| 申请号： | 99123509.6 | 申请日： | 1999-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1139123C | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | F·普赖因 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体存储器用熔丝结构包括具有多晶硅熔丝层和设置在多晶硅熔丝层上的栅帽盖层的栅结构。层间绝缘层淀积在栅结构上，介质层淀积在层间绝缘层上。介质层、层间绝缘层和栅帽盖层具有至少一个开口形成于其内。根据本发明的半导体存储器用熔丝的制造方法包括：在衬底上形成包括多晶硅熔丝层和设置在多晶硅熔丝层上的栅帽盖层的栅结构，在栅结构上形成层间介质层，在层间介质层上淀积介质层，以及选择性地腐蚀接触孔穿过介质层和层间介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器用 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器用熔丝的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成包括多晶硅熔丝层和设置在多晶硅熔丝层上的栅帽盖层的栅结构；在栅结构上形成层间介质层；在层间介质层上淀积介质层，介质层和层间介质层包括相对于栅帽盖层可选择性腐蚀的材料；以及选择性地腐蚀接触孔穿过介质层和层间介质层，由此在栅结构上形成至少一个接触孔并延伸到栅帽盖层内。
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