[发明专利]具有自对准的氢阻挡层的集成电路及其制做方法无效
| 申请号： | 99123959.8 | 申请日： | 1999-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1130765C | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·D·库奇奥;古谷晃;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳科;宫坂洋一 | 申请（专利权）人： | 塞姆特里克斯公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/28;H01L27/10;G11C11/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在一集成电路中，各自包括一底电极(122)、一金属氧化物薄膜(124)、一顶电极(126)、一下阻挡-粘附层(128)、一氢阻挡层(130)和一上阻挡-粘附层(132)被构型以形成覆盖有一自对准氢阻挡层(130)的一存储电容器(120)。较佳地，该顶和底电极包括铂，该金属氧化物材料包括铁电分层的超晶格材料，该上和下阻挡-粘附层包括钛，且该氢阻挡层(130)包括氮化钛。该氢阻挡层(130)禁止氢的扩散，从而防止金属氧化物的氢退化。部分上阻挡—粘附层(132)被去除以提供该层中的电传导性。较佳地，该存储电容器是一铁电永久性存储器。较佳地，该分层的超晶格材料包括钽酸锶铋或铌酸锶铋钽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 阻挡 集成电路 及其 制做 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制做一铁电集成电路的方法，包括有步骤：形成一集成电路部分，包括一金属氧化物材料的薄膜(124)；所述方法其特征在于在所述金属氧化物材料的薄膜(124)正上方形成一第一阻挡-粘附层(128)；在所述第一阻挡-粘附层(128)上形成一氢阻挡层(130)；在所述氢阻挡层(130)上形成具有一顶表面的一第二阻挡-粘附层(132)，一起构型所述第一阻挡-粘附层(128)、所述氢阻挡层(130)和所述第二阻挡-粘附层(132)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
