[发明专利]制备硬质薄膜的电化学沉积方法无效
申请号: | 99123976.8 | 申请日: | 1999-11-22 |
公开(公告)号: | CN1111212C | 公开(公告)日: | 2003-06-11 |
发明(设计)人: | 付强;朱鹤孙;曹传宝;汪浩;酒金婷 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C25D9/08 | 分类号: | C25D9/08 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 | 代理人: | 付雷杰 |
地址: | 100081*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种制备硬质薄膜的电化学沉积方法。选用饱和的二氰二胺丙酮溶液、浓度在0.1~0.5mol/L间的二氰二胺的乙醇溶液、高纯的乙腈、一甲基三氯硅烷、硝基乙烷等作电沉积介质,高纯石墨为电极,Si片或ITO涂覆导电玻璃或抛光金属片为衬底。极间距离为6~10mm;极间电压100~3500V;沉积温度20~60℃;脉冲频率5~10KHz,脉冲占空比80%。这种硬质薄膜的制备方法简单,反应条件易控制,基片选择范围宽,成膜均匀性好,有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 制备 硬质 薄膜 电化学 沉积 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备硬质薄膜的电化学沉积方法,其特征在于:Si片或ITO涂覆导电玻璃或抛光金属片作为衬底,在沉积前Si片先置于稀的氢氟酸溶液中浸泡30分钟,以除去表面SiO2之类氧化物,然后于待沉积的浓度在0.1~0.5mol/L间的二氰二胺乙醇溶液中超声处理20分钟,除去表面杂质;ITO涂覆导电玻璃或抛光金属片只需在待沉积的浓度在0.1~0.5mol/L间的二氰二胺乙醇溶液中超声处理20分钟,除去表面杂质;高纯石墨作为阳极,Si片或ITO涂覆导电玻璃或抛光金属片作阴极,极间距离为6~10mm,极间施加100~3500V直流高压电压或100~2000V高频脉冲调制直流高压,脉冲频率5~10KHz,脉冲占空比80%,浓度0.1~0.5mol/L的二氰二胺乙醇溶液作为电沉积液,沉积温度为20~60℃,通过沉积池底部的磁力加热搅拌器上的磁力搅拌子搅拌混合和加热沉积液,温控计来调节控制沉积温度。
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