[发明专利]制造半导体器件电容器的方法无效
| 申请号： | 99123981.4 | 申请日： | 1996-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1122306C | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 崔璟根 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦,穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种使电容器电极工作稳定并改善半导体器件的工作特性和可靠性的制造半导体器件电容器的方法。该方法包括以下各步骤：制备一块半导体基片；在该基片上形成绝缘层；通过选择去除下绝缘层形成接触孔；在接触孔内形成柱塞；在其上形成Ti/TiN膜；在Ti/TiN膜上形成第一氧化钌膜；在第一氧化钌膜上形成第一SOG膜；将离子注入到第一SOG膜的表面；在第一SOG膜上形成第二SOG膜，然后选择去除第一和第二SOG膜；利用第一和第二SOG膜作掩模腐蚀第一氧化钌膜Ti/TiN和膜；去除第一和第二SOG膜，然后在裸露的表面上形成介质膜；以及在介质膜上形成第二氧化钌膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件电容器的方法，该方法包括以下各步骤：(a)在半导体衬底上形成具有接触孔的绝缘层图形，其中所述接触孔露出所述半导体衬底的预定部分；(b)在所述接触孔中形成柱塞；(c)在所述柱塞上形成具有第一氮化钛膜图形和氧化钌膜图形的叠层结构；(d)在所述得到的结构的整个表面上形成具有高介电常数的介质膜；和(e)在所述介质膜上形成上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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