[发明专利]氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 99124388.9 申请日: 1999-11-26
公开(公告)号: CN1147921C 公开(公告)日: 2004-04-28
发明(设计)人: 日野智公;浅野竹春;朝妻庸纪;喜嶋悟;船户健次;富谷茂隆 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物;或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。
搜索关键词: 氮化物 半导体 生长 方法 半导体器件 及其 制造
【主权项】:
1.一种III-V族氮化物半导体的生长方法,包括在衬底上形成生长掩模并通过采用生长掩模在衬底上选择生长III-V族氮化物半导体的步骤,其特征在于:采用至少其上表面由氮化物组成的多层薄膜作为生长掩模。
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