[发明专利]磁性存储器无效
| 申请号： | 99124477.X | 申请日： | 1999-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1254929A | 公开（公告）日： | 2000-05-31 |
| 发明（设计）人： | H·范登伯格 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及自由选择存取型磁性存储器,它有一个由很多存储器单元组成的存储器单元区,而存储器单元是矩阵式安排在字线和读出线交叉点上的,并且其逻辑数据内容由磁性状态定义,具有从属于字线的寻址电路,借助此电路在被选定的存储器单元的字线上加上一读取电压,而被选定的存储单元的数据内容应被读取,并且具有一个从属于读出线的计算电路,借助此电路测定或计算与被选定存储器单元数据内容相应的信号,此时计算电路具有一个比较电路,借助此电路将参考元件提供的参考信号与应读取存储器单元的读出信号比较。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 | ||
【主权项】：
1.自由选择存取型式(MRAM)的磁性存储器，具有一个存储器单元区(11)，是由很多存储器单元(1)组成的，存储器单元是矩阵形状地安排在字线(3)和读出线(4)交叉点上的，并且存储器单元的逻辑数据内容是由一个磁性状态定义的，具有一个分配给字线(3)的寻址电路，借助于寻址电路在一个或多个被选定的其数据内容应该被读取的存储器单元(1)的字线(3)上加上一个读取电压(V)，并且具有分配给读出线(4)的一个计算电路，借助于计算电路测得或计算与被选定的一个或一些存储器单元存储内容相对应的信号，其特征为，计算电路具有一个比较电路(16)，借助于比较电路由参考元件提供的参考信号(Vr)与应读取的这个或这些存储器单元的读出信号(Vs)进行比较。
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